БИСТАБИЛЬНОСТЬ В СЛОЕ ХИРАЛЬНОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.

Об авторах

И. В. Симдянкин

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Москва, Россия

А. Р. Гейвандов

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Email: ageivandov@yandex.ru
Москва, Россия

С. П. Палто

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»

Москва, Россия

Список литературы

  1. J.C. Jones, Handbook of Optoelectronics, CRC Press, USA (2017).
  2. J. H. Kim, M. Yoneya, and H. Yokoyama, Nature 420, 159 (2002).
  3. П. В. Долганов, К. Д. Бакланова, В. К. Долганов, ЖЭТФ 157, 936 (2020).
  4. S. P. Palto, D. O. Rybakov, B. A. Umanskii et al., Crystals 13, 10 (2022).
  5. C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Sol. St. Commun. 17, 1077 (1975).
  6. C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46, 3738 (1975).
  7. D.W. Berreman and W. R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37, 109 (1980).
  8. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 127, 220 (2005).
  9. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 129, 1132 (2006).
  10. G. P. Bryan-Brown et al., Proc. SID Digest of Technical Papers 28, 37 (1997).
  11. C. Joubert et al., SID Symposium Digest of Technical Papers 33, 30 (2002).
  12. И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто, Письма в ЖЭТФ 120, 690 (2024).
  13. I. V. Simdyankin, A. R. Geivandov, I. V. Kasyanova et al., Crystals 14, 891 (2024).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025