电邮这篇文章 PROTsESSY ELEKTRON-ELEKTRONNOGO RASSEYaNIYa V KVANTOVYKh YaMAKh V KVANTUYuShchEM MAGNITNOM POLE. II. RASSEYaNIE V SLUChAE DVUKhPODZON
- 作者: Telenkov M.P1, Mityagin Y.A1
-
隶属关系:
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
- 期: 卷 168, 编号 4 (2025)
- 页面: 537-553
- 栏目: ELECTRONIC PROPERTIES OF SOLIDS
- URL: https://jdigitaldiagnostics.com/0044-4510/article/view/692062
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034641X25100105
- ID: 692062
如何引用文章
开放存取
##reader.subscriptionAccessGranted##
订阅或者付费存取
详细
Рассмотрены процессы электрон-электронного рассеяния с участием уровней Ландау двух подзон. Рассчитана матрица скоростей электрон-электронного рассеяния, содержащая все типы переходов между уровнями Ландау. Проведен анализ этой матрицы и установлена относительная величина скоростей переходов различного типа. Установлено влияние на процессы электрон-электронного рассеяния изменения ориентации квантующего магнитного поля.
作者简介
M. Telenkov
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
Email: telenkovmp@lebedev.ru
Москва, Россия
Yu. Mityagin
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наукМосква, Россия
参考
- Yu. A. Mityagin, M. P. Telenkov, I .A. Bulygina et al., Physica E 142, 115288 (2022)
- M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, and P. F. Kartsev, Nanoscale Res. Lett. 7, 491 (2012)
补充文件
