Анализ коэффициента шума приемного тракта на основе смесителя с управлением по току
- Авторы: Коротков А.С.1, Чан Т.Д.1
 - 
							Учреждения: 
							
- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
 
 - Выпуск: Том 69, № 11 (2024)
 - Страницы: 1110-1120
 - Раздел: Статьи
 - URL: https://jdigitaldiagnostics.com/0033-8494/article/view/684291
 - DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424110092
 - EDN: https://elibrary.ru/HOCDDO
 - ID: 684291
 
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Проведен анализ шумовых свойств приемного тракта на основе пассивного смесителя с управлением по току с учетом источников шума следующих устройств: входного малошумящего усилителя, собственно смесителя, выходного трансимпедансного усилителя. Проанализирован шум на выходе приемного тракта, который генерируется перечисленными группами источников шума. Найден коэффициент шума приемного тракта и его оптимальное (наименьшее) значение с учетом влияния паразитных емкостей ключей смесителя. Результаты расчета подтверждены результатами моделирования.
Об авторах
А. С. Коротков
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
Т. Д. Чан
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
														Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
Список литературы
- Terrovitis M. A., Mayer R. G. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1999. V. 34. № 6. P. 772.
 - Darabi H., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2000. V. SSC-35. № 1. P. 15.
 - Kоротков А. С. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 128.
 - Qi G., Shao H., Mak P. I. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2020. V. 55. № 12. P. 3387.
 - Yang D., Andrew C., Molnar A. // IEEE Trans. 2015. V. CS-I-62. № 11. P. 2759.
 - Lenka M. K., Banerjee G. // IEEE Trans. 2019. V. VLSI-27. № 5. P. 993.
 - Shams N., Nabki F. // IEEE Trans. 2023. V. VLSI-31. № 3. P. 369.
 - Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.
 - Чан Т. Д., Коротков А. С. // РЭ. ٢٠٢٤. Т. 69. № 3. С. 288.
 - Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. ٢٠٢٣. Т. 68. № 1. С. 83.
 - Mirzaei A., Darabi D., Leete J. C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2009. V. 44. № 10. P. 2678.
 - Korotkov A. S., Tran T. D. // Proc. 2023 Int. Conf. Electrical Engineering and Photonics. St. Petersburg. 19–20 Oct. N.Y.: IEEE, 2023. P. 22.
 - Nguyen T. K., Kim C. H., Ihm G. J. et al. // IEEE Trans. 2004. V. MTT-52. № 5. P. 1433.
 
Дополнительные файлы
				
			
						
						
						
					
						
									



