Activation analysis of the temperature dependence of the dielectric constant of ferroelectrics

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

For ferroelectrics lead zirconate titanate and barium titanate, an exponential dependence of the dielectric constant on temperature is shown, provided that the Curie–Weiss law is satisfied. The temperature of equality of ferroelectric dielectric constants for activation processes caused by the interaction of domain walls with point defects, as well as the corresponding activation energies, have been determined.

About the authors

D. V. Kuzenko

Scientific Research Institute “Reaktivelectron”

Author for correspondence.
Email: danil.kuzenko.84@yandex.ru
Russian Federation, Donetsk, 283049

References

  1. Cмоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.
  2. Uchino K. Ferroelectric devices. Boca Raton: CRC Press Taylor & Francis Group, 2009. 347 p.
  3. Cидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит, 2000. 240 с.
  4. Tagantsev A.K., Cross L.E., Fousek J. Domains in ferroic crystals and thin films. NY: Springer-Verlag, 2010. 821 p.
  5. Gridnev S.A., Popov I.I. // Ferroelectrics. 2020. V. 561. No. 1. P. 127.
  6. Andryushin K.P., Andryushina I.N., Shilkina L.A., Reznichenko L.A. // J. Phys. Conf. Ser. 2021. V. 2057. Art. No. 012060.
  7. Аль Джаафари Ф.Д., Коротков Л.Н., Толстых Н.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 9. С. 1262; Al Jaafari F.M.D., Korotkov L.N., Tolstykh N.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 9. P. 1302.
  8. Стукова Е.В., Королева Е.Ю., Барышников С.В., Сахненко А.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 9. С. 1272; Stukova E.V., Koroleva E.Yu., Baryshnikov S.V., Sakhnenko A.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 9. P. 1082.
  9. Мараховский М.А., Панич А.А., Таланов М.В., Мараховский В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 11. С. 1667; Marakhovskiy M.A., Panich A.A., Talanov M.V., Marakhovskiy V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 11. P. 1419.
  10. Скрылев А.В., Бурханов А.И., Акбаева Г.М., Панич А.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 3. С. 372; Skrylev A.V., Burkhanov A.I., Akbaeva G.M., Panich A.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 3. P. 325.
  11. Ishibashi Y., Iwata M. // J. Phys. Soc. Japan. 2020. V. 89. Art. No. 014705.
  12. Samanta A., Yadav S., Gu Z. et al. // Adv. Mater. 2022. V. 34. Art. No. 2106021.
  13. Lee D., Xu H., Dierolf V. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. Art. No. 014104.
  14. Cheng B.L., Gabbay M., Maglione M., Fantozzi G. // J. Electroceram. 2003. V. 10. P. 5.
  15. Kim W.-H., Yoon S.M., Son J.Y. // Mater. Lett. 2014. V. 124. P. 47.
  16. Li X.Y., Yang Q., Cao J.X. et al. // J. Phys. Chem. C. 2018. V. 122. No. 5. P. 3091.
  17. Lee S.J., Moon S.E., Kim W.J., Kim E.K. // Integr. Ferroelectr. 2001. V. 37. P. 225.
  18. Kuzenko D.V. // J. Adv. Dielectrics. 2022. V. 12. No 3. Art. No. 2250010.
  19. Кузенко Д.В. // Вестник ДонНУ. Сер. А. Естеств. науки. 2022. № 4. C. 15.
  20. Emelyanov A.Yu., Pertsev N.A., Hoffmann-Eifert S. et al. // J. Electroceram. 2002. V. 9. P. 5.
  21. Jonker G.H. // Mat. Res. Bull. 1983. V. 18. P. 301.
  22. Viehland D., Jang S.J., Cross L.E., Wuttig M. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. No. 13. P. 8003.
  23. Wang B., Woo C.H. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. No. 4. Art. No. 044114.
  24. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. С. 71.
  25. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. С. 281, С. 296.
  26. Приседский В.В. Нестехиометрические сегнетоэлектрики АIIBIVO3. Донецк: Изд-во «Ноулидж», 2011. С. 184.
  27. Гумарова И.И., Мамин Р.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 4. С. 550; Gumarova I.I., Mamin R.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 4. P. 477.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences