Управление поляризацией излучения в ферромагнитных диодных структурах InGaAs/GaAs/δ-Mn

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Изучено влияние электрического напряжения на циркулярную поляризацию излучения в светодиодных структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и отдаленным от нее δ-слоем магнитной примеси Mn (спейсер dS = 2 – 5 нм) в слабом магнитном поле. Ослабление циркулярной поляризации с ростом приложенного напряжения свидетельствует о существенном вкладе стационарного механизма поляризации носителей обменным полем δ-Mn-слоя.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. В. Зайцев

Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: szaitsev@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка

Список литературы

  1. Dietl T., Ohno H. // Rev. Mod. Phys. 2014. V. 86. P. 187.
  2. Захарченя Б.П., Коренев В.Л. // УФН. 2005. Т. 175. С. 629; Zakharchenya B.P., Korenev V.L. // Phys. Usp. 2005. V. 48. P. 603.
  3. Myers R.C., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. Art. No. 161305(R).
  4. Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 730; Zaitsev S.V., Dorokhin M.V., Brichkin A.S. et al. // JETP Lett. 2010. V. 90. P. 658.
  5. Korenev V.L., Akimov I.A., Zaitsev S.V. et al. // Nature Commun. 2012. V. 3. P. 959.
  6. Akimov I.A., Korenev V.L., Sapega V.F. et al. // Phys. Stat. Solidi B. 2014. V. 251. P. 1663.
  7. Rozhansky I.V., Denisov K.S., Averkiev N.S. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. Art. No. 125428.
  8. Зайцев С.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 4. С. 537; Zaitsev S.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 4. P. 443.
  9. Zaitsev S.V., Kulakovskii V.D., Dorokhin M.V. et al. // Physica E. 2009. V. 41. P. 652.
  10. Brum J.A., Bastard G. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. Art. No. 3893.
  11. Зайцев С.В. // ФНТ. 2012. Т. 38. № 5. С. 513; Zaitsev S.V. // Low Temp. Phys. 2012. V. 38. No. 5. P. 399.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Схема диодной структуры n-GaAs/InGaAs/GaAs/δ-Mn/GaA (а). Пример расчета зонной схемы структуры #1 с КЯ и отделенным от нее акцепторным δ-Mn-слоем высокой плотности (б) (детали см. в работе [11])

Скачать (182KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Циркулярно-поляризованные спектры ФЛ структуры #1 при B = 0.3 Tл и внешнем электрическом напряжении Uext = 0, T = 2 K (а). Зависимость степени циркулярной поляризации PC(Uext) для линии КЯ структуры #1 при Uext = 0 и T = 2 K (б)

Скачать (118KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Зависимости интенсивности ФЛ от внешнего электрического напряжения Uext для всех структур при T = 2 K и B = 0.3 Tл (а). Стрелками отмечены особенности (см. текст). Зависимости степени циркулярной поляризации PC(Uext) для линии КЯ в поле B = 0.3 Tл (б). Прямые линии для структур #1 и #2 – результаты линейной аппроксимации

Скачать (160KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024